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RSS Twitter[携帯版] [ NEW スマホ版] [About] [Contact] 2017.8.21 07:54 [更新:1分前]

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【半導体】産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発

ビジネス+ スレッド作成=93日前 2chスレッド: ソース: news.mynavi.jp
周藤瞳美[2017/05/19]産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研スピントロニクス研究センター金属スピントロニクスチーム 薬師寺 啓研究チーム長、集積マイクロシステム研究センター高木秀樹総括研究主幹、ウエハレベル実装研究チーム 倉島優一主任研究員、ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システムグループ 菊地克弥研究グループ長、渡辺直也主任研究員らの研究グループによるもので、5月15日付けの国際科学誌「Applied Physics Express」に掲載された。 MRAMは、垂直磁化TMR素子をベースとする記録ビットと、ビット選択に用いる半導体トランジスタ(CMOS)、多結晶銅などの金属配線からなり、通常、垂直磁化TMR素子薄膜(TMR薄膜)は、逐次積層といってCMOS形成後に金属配線上に直接形成される。MRAMの大容量化には、原子レベルの不均一性や凹凸によるTMR薄膜のバラツキ抑制、材料の選択が重要となるが、多結晶銅配線上へのTMR薄膜形成ではバラツキ抑制や材料の選択肢には限界があった。...

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